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个人简介

姓名:刘彦娟

年龄:30

职位:讲师

邮箱:liuyanjuan@hrbeu.edu.cn

详情介绍

刘彦娟,女,博士。

教育经历:

2010年8月-20147月,哈尔滨工程大学信息与通信工程学院微电子学专业,学士学位;

2014年8月-2019年9月,哈尔滨工程大学信息与通信工程学院电子科学与技术专业,硕士学位;

20159月-20193月,哈尔滨工程大学信息与通信工程学院信息与通信工程专业,博士学位。

工作经历:

201911月至今,沈阳航空航天大学电子信息学院,讲师。

研究方向:

主要从事半导体器件及其可靠性、半导体器件辐射效应与加固技术方面的研究工作。攻读硕博士参与过国家自然科学基金:多维电场调制功率场效应晶体管辐射效应与加固机理研究(61774052),和省级项目:新型槽栅功率MOSFET器件研究(ZD201413),功率MOSFET器件电场调制及新结构研究(JC2015017)等多项科研项目的研究工作。主持辽宁省博士科研启动基金计划项目,近几年发表高水平SCI期刊论文多篇,如下:

[1] Liu Yan-juan, Zhao Liang, Wang Lening and Wang Yupeng. A New Trench Gate Field Stop IGBT with A Significant Reduction in Miller Capacitance. Micro &Nano Letter, 2021,16(2):121-126.SCI检索(检索号:000616495800005).

[2] Liu Yan-juan, Wang Ying, Yu Cheng-hao, Luo Xin, and Cao Fei. Effect of P+ Shielding Region on Ringle Event Burnout of 4H-SiC Trench Gate MOSFET. Superlattices and Microstructures, 2018, 122: 165-170. SCI检索(检索号:000446152200017

[3] Yan-juan Liu, Ying Wang, and Jun-peng Fang. Investigation of Analytical Model of Turn-Off Loss for 4H-SiC High-Voltage Trench Insulated Gate Bipolar Transistors. Japanese Journal of Applied Physics, 2018, 57(12): 124102.1-124102.6. SCI检索(检索号:000449176900001

[4] Yan-Juan Liu, Ying Wang, Yue Hao, Cheng-Hao Yu, and Fei Cao. 4H-SiC Trench IGBT with Back-Side n-p-n Collector for Low Turn-Off Loss. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64(2): 488-493. SCI检索(检索号:000394691600022

[5] Yan-Juan Liu, Ying Wang, Yue Hao, Jun-Peng Fang, Chan Shan, and Fei Cao. A Low Turn-Off Loss 4H-SiC Trench IGBT with Schottky Contact in the Collector Side. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64(11): 4575-4580. SCI检索(检索号:000413732500030

[6] Yan-Juan Liu, Ying Wang, Cheng-Hao Yu, and Fei Cao. 4H-SiC Trench IGBT with Lower On-State Voltage Drop. Superlattices and Microstructures, 2017, 103: 53-63. SCI检索(检索号:000398013600006