刘彦娟，女，博士。

教育经历：

2010年8月-2014年7月，哈尔滨工程大学信息与通信工程学院微电子学专业，学士学位；

2014年8月-2019年9月，哈尔滨工程大学信息与通信工程学院电子科学与技术专业，硕士学位；

2015年9月-2019年3月，哈尔滨工程大学信息与通信工程学院信息与通信工程专业，博士学位。

工作经历：

2019年11月至今，沈阳航空航天大学电子信息学院，讲师。

研究方向：

主要从事半导体器件及其可靠性、半导体器件辐射效应与加固技术方面的研究工作。攻读硕博士参与过国家自然科学基金：多维电场调制功率场效应晶体管辐射效应与加固机理研究（61774052），和省级项目：新型槽栅功率MOSFET器件研究（ZD201413），功率MOSFET器件电场调制及新结构研究（JC2015017）等多项科研项目的研究工作。主持辽宁省博士科研启动基金计划项目，近几年发表高水平SCI期刊论文多篇，如下：

[1] Liu Yan-juan, Zhao Liang, Wang Lening and Wang Yupeng. A New Trench Gate Field Stop IGBT with A Significant Reduction in Miller Capacitance. Micro &Nano Letter, 2021，16(2):121-126.SCI检索（检索号：000616495800005）.

[2] Liu Yan-juan, Wang Ying, Yu Cheng-hao, Luo Xin, and Cao Fei. Effect of P+ Shielding Region on Ringle Event Burnout of 4H-SiC Trench Gate MOSFET. Superlattices and Microstructures, 2018, 122: 165-170. SCI检索（检索号：000446152200017）

[3] Yan-juan Liu, Ying Wang, and Jun-peng Fang. Investigation of Analytical Model of Turn-Off Loss for 4H-SiC High-Voltage Trench Insulated Gate Bipolar Transistors. Japanese Journal of Applied Physics, 2018, 57(12): 124102.1-124102.6. SCI检索（检索号：000449176900001）

[4] Yan-Juan Liu, Ying Wang, Yue Hao, Cheng-Hao Yu, and Fei Cao. 4H-SiC Trench IGBT with Back-Side n-p-n Collector for Low Turn-Off Loss. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64(2): 488-493. SCI检索（检索号：000394691600022）

[5] Yan-Juan Liu, Ying Wang, Yue Hao, Jun-Peng Fang, Chan Shan, and Fei Cao. A Low Turn-Off Loss 4H-SiC Trench IGBT with Schottky Contact in the Collector Side. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64(11): 4575-4580. SCI检索（检索号：000413732500030）

[6] Yan-Juan Liu, Ying Wang, Cheng-Hao Yu, and Fei Cao. 4H-SiC Trench IGBT with Lower On-State Voltage Drop. Superlattices and Microstructures, 2017, 103: 53-63. SCI检索（检索号：000398013600006）